专家问答

气化炉产品采用美国技术，运用独特的工艺，每台调压器都在检测合格后方才出售，让您使用过程中更加安心。

燃气气化炉出现的市场背景：

液化石油气是石油的衍生产品，广泛应用于民用燃气、工业、交通运输等领域，是关系国计民生的重要能源产品之一。在当前全国大力发展天然气的背景下，虽然液化石油气市场受到一定的冲击，但是从液化气市场发展现状及其不断被开发培育的新用途来分析，未来市场仍具有十分广阔的发展空间。

用户在使用燃气过程中，有两种情况：一是自然气化的钢瓶；二是强制气化的钢瓶，自然气化是指钢瓶中液态液化气依靠自身显热和吸收外界环境热量而气化的过程。强制气化用到的人为方法（安装气化炉）就是对液化石油气进行气化。自然气化容易受到外界温度及其钢瓶液化气用量的影响，在使用中过程中出现火力不足，通气压力不稳定，气体量不足，气体钢瓶结水结冰，气体用不完等系列问题。实际应用中证明，自然气化的钢瓶剩液量一般达到10%---30%，而安装气化炉就可以解决上述问题。安装气化炉，更加环保、更加省钱。

一级减压配件：高压软管、日本北泽球阀、燃气聚气排、油水分离器、台湾雅德压力表、 REGO597、Y型一级过滤器等。

目前各行各业在燃气使用过程中存在的安全隐患或不足，安全意识不强，以下列出部分，希望得到大家重视：

1、石油气钢瓶分散直接供气，钢瓶摆放混乱，钢瓶摆放量多火灾危险性大，使用气化器可以集中供气，减少钢瓶摆放数量。

2、中高压燃气管采用非燃气专用管件（镀锌管件）连接使用，漏点多，易泄露。

3、采用非燃气专用阀门及其它非燃气专用设备，事故隐患多。

4、存放钢瓶的瓶组间距离不够，通风效果差，存在安全隐患。

5、操作人员缺乏燃气安全使用相关知识，易由于操作失误引起事故。

6、气化炉及其配件使用时间太长，腐蚀严重。

循环流化床气化炉炉内反映温度越越高越好吗？操纵范畴多少钱？我就领着大伙儿简易掌握下：

循环流化床煤气化的反映温度操纵在1000℃下列，在这个范畴内，伴随着温度的提升 ，气化化学反应速率扩大，提升 温度将提升 碳转换率和机器设备生产量，并有益于液化气构成的改进。但温度过高可能产生结渣安全事故，阻拦原材料流动性，造成生产制造没法开展。

循环流化床气化炉对比循环流化床在板式床温度层面优点是啥？

循环流化床（泡床）因为存有一定高度的稀相段，因而沿床高度方位存有很大的温度差，温度匀称性较弱，与循环流化床（泡床）对比，循环流化床的温度遍布较为匀称。

循环流化床气化炉特性

循环流化床煤气化炉与循环流化床燃煤蒸汽锅炉对比，与其说原有的特性，循环系统量大，固态颗粒物浓度值高，炉内径向压差大。

循环流化床温度控制范畴内如何确保煤粉充足气化？

旋风除尘器是循环流化床气化炉的关键构件之一，其关键功效是把很多高溫循环系统半焦在炉膛内数次循环系统，不断产生气化反映，做到理想化的碳转换率。那样，即便 是反映温度要操纵在1000℃下列，也可以确保原料的充足气化。旋风除尘器的分离出来性能将立即危害全部循环流化床气化炉的总体方案设计及气化炉运作性能。

光伏行业对技术进步的追求从未止步，光伏组件的转换效率日新月异！然而，晶硅组件的理论最高效率到底是多少？

晶体硅太阳能电池理论极限效率：29.43%；

普通单晶硅电池理想条件下最高效率为24.5％；HJT电池理想条件下最高效率为27.5％；TOPCon电池具有更加高的效率上限，28.2%~28.7%。

仅供参考

晶硅电池转换效率的理论上限？

1954年贝尔实验室的CHAPIN等三人发表了第一篇关于硅太阳电池的文章，在这篇文章中就已指出有反射、复合、电阻三方面的因素使电池的效率低于某个上限。

早在1961年，William Shockley等人根据细致平衡原理在只考虑辐射复合作为电子－空穴对唯一的复合机制的理想情况下，通过计算得出p-n结太阳能电池的效率极限为30％。

利用新南威尔士大学光伏与可再生能源工程学院免费发布的一维太阳电池计算模拟软件PC1D计算，输入完全理想条件得到地面标准太阳光（AM1.5G）照射条件下，温度为25 ℃时，晶体硅电池理想条件下效率为26.8％。

德国ISFH在2019年Silicon PV的报告会上基于载流子选择性的概念从理论上对不同结构太阳能电池的理论效率极限做了细致的分析，结论是钝化接触电池（例如TOPCon电池）具有更加高的效率极限（28.2%~28.7%），高于HJT的27.5%极限效率，同时也远远高于PERC电池（24.5%），TOPCon电池最接近晶体硅太阳能电池理论极限效率（29.43%）。

各类太阳能电池最新进展

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效率公式

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式中Pin是太阳电池整个面积的总输入光功率.对于陆地上的应用, 标准测试条件是: 一个太阳,AM1.5G, 1000W/m2(或100mW/cm2), 25 ℃。

因此,太阳电池的三个参数Voc，Isc和FF就能确定太阳电池的效率。为了获得高的效率,这三个参数应该尽可能高。

(a)为了获得高的开路电压Voc，电池必须有低的正向暗电流I0,高的并联电阻Rsh。

(b)为了获得高的光电流(短路电流Isc)，电池材料和结构应该在紫光，可见光和近红外光谱范围有高的，宽的和平坦的光谱响应，内量子效率接近于1。

(c)为了获得高的填充因子FF，电池必须有低的正向暗电流I0，理想因子“n”接近于1，串联电阻必须低( 102Ω·cm2)。

开路电压Voc

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式中, I0是无光照时电池的反向饱和电流；q是电子电荷；k是玻尔兹曼常数；T是绝对温度；n是二极管理想因子。

影响因素

材料－光伏有源材料：电阻率ρ，少子寿命τ，其它杂质等。表面发射极掺杂层；背面电场；漏电流－反向饱和电流I0；理想因子n；并联电阻Rsh；钝化技术－电池材料的表面和内部的钝化。

短路电流Isc

短路电流Isc：理想状态下，应等于光生电流IL，即 Isc＝IL。

影响因素

绒面结构正面减反射膜；表面发射极掺杂层－高或低的磷浓度；减少遮光损失；串连电阻Rs；背面反射；钝化技术－电池材料的表面和内部的钝化。

填充因子FF

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影响因素

表面发射极掺杂层－高或低的磷浓度；去除周边pn结和去磷硅玻璃；串连电阻Rs(电极接触、金属指条宽度和纵横比大小);正面减反射膜；金属电极接触的烘烤、烧结；并联电阻Rsh。

为了提高丝网印刷（SP）填充因子FF，必须解决下列问题：（1）金属电极接触的烧结对总串连电阻Rs（特别是对rc）的影响；（2）金属电极接触的烧结对pn结质量（并联电阻Rsh和J02）的影响。

电池片内部存在多种电流，如暗电流、反向电流、漏电流等。

各种电流都对组件的功率有或大或小的影响，区分各种电流的特性，能够排查引起组件功率异常的原因，有助于问题的彻底解决。

暗电流

暗电流（DarkCurrent）也称无照电流，是指P-N结在反偏压条件下，没有入射光时产生的反向直流电流。一般由于载流子的扩散产生或者器件表面和内部的缺陷以及有害的杂质引起。扩散产生的原理是在PN结内部，N区电子多，P区空穴多，因为浓度差，N区的电子就要向P区扩散，P区的空穴要向N区扩散，尽管PN结内建电场是阻止这种扩散的，但实际上这中扩散一直进行，只是达到了一个动态的平衡，这是扩散电流的形成。另外当器件的表面和内部有缺陷时，缺陷能级会起到复合中心的作用，它会虏获电子和空穴在缺陷能级上进行复合，电子和空穴被虏获到缺陷能级上时，由于载流子的移动形成了电流，同样有害的杂质在器件中也是起到复合中心的作用，道理和缺陷相同。

暗电流一般在分选硅片时要考虑，如果暗电流过大能说明硅片的质量不合格，如表面态比较多，晶格的缺陷多，有存在有害的杂质，或者掺杂浓度太高，这样的硅片制造出来的电池片往往少子寿命低，直接导致了转换效率低!

对单纯的二极管来说，暗电流其实就是反向饱和电流，但是对太阳能电池而言，暗电流不仅仅包括反向饱和电流，还包括薄层漏电流和体漏电流。

反向饱和电流

反向饱和电流指给PN结加一反偏电压时，外加的电压使得PN结的耗尽层变宽，结电场（即内建电场）变大，电子的电势能增加，P区和N区的多数载流子（P区多子维空穴，N区多子为电子）就很难越过势垒，因此扩散电流趋近于零，但是由于结电场的增加，使得N区和P区中的少数载流子更容易产生漂移运动，因此在这种情况下，PN结内的电流由起支配作用的漂移电流决定。漂移电流的方向与扩散电流的方向相反，表现在外电路上有一个留入N区的反向电流，它是由少数载流子的漂移运动形成的。由于少数载流子是由本征激发而产生的，在温度一定的情况下，热激发产生的少子数量是一定的，电流趋于恒定。

漏电流

太阳能电池片可以分3层，即薄层（即N区），耗尽层（即PN结），体区（即P区），对电池片而言，始终是有一些有害的杂质和缺陷的，有些是硅片本身就有的，也有的是我们的工艺中形成的，这些有害的杂质和缺陷可以起到复合中心的作用，可以虏获空穴和电子，使它们复合，复合的过程始终伴随着载流子的定向移动，必然会有微小的电流产生，这些电流对测试所得的暗电流的值是有贡献的，由薄层贡献的部分称之为薄层漏电流，由体区贡献的部分称之为体漏电流。

测试暗电流的目的

（1）防止击穿

如果电池片做成组件时，电池片的正负极被接反，或者组件被加上反偏电压时，由于电池片的暗电流过大，电流叠加后会迅速的将电池片击穿，不过这样的情况很少发生，所以测试暗电流在这方面作用不是很大。

（2）监控工艺

当电池片工艺流程结束后，可以通过测试暗电流来观察可能出现的工艺的问题，前面说过，暗电流是由反向饱和电流和薄层漏电流以及体漏电流组成的，分别用J1，J2，J3表示，当我们给片子加反偏电压时，暗电流随电压的升高而升高，分3个区，1区暗电流由J2起支配作用，2区由J3起支配作用，3区由J1起支配作用，3个区的分界点由具体的测试电压而决定的。为什么暗电流会随电压升高而增大呢？当有电压加在片子上时，对硅片有了电注入，电注入激发出非平衡载流子，电压越大激发的非平衡载流子越多，形成的暗电流越大，暗电流的增长速度随电压越大而变慢，直到片子被击穿。一般我们测试暗电流的标准电压为12V，测得的曲线和标准的曲线相比后，可以的出片子的基本情况。如在1区发现暗电流过大则对应的薄层区出了问题，2区暗电流过大，说明问题出在体区，同样3区出现问题，说明PN做的有问题，扩散，丝网印刷，温度等参数都会影响暗电流，只要知道哪出了问题，就可以根据这去找出问题的原因，所以测试暗电流对工艺的研究是很有用的。