们生产加工IC级4英寸热氧化单晶抛光硅片
等级：Prime
生长方式：CZ/FZ
直径:100mm+/-0.2mm
导电类型/掺杂 P/Boron N/Phos
晶向：<100> <110> <111>
电阻率（欧姆厘米）： (0.0001 - 0.9 ）/(1 - 10)/ (10 - 100)/ >100
厚度(um)：525+/-15 可定制
氧化层厚度（纳米nm）5nm 50nm 100nm 285nm 300nm 1000nm可定制
氧化层厚度均匀度 < 5%
表面/背面： 抛光/腐蚀 抛光/抛光
位错:无
晶体缺陷：无
少子寿命(us)：电子级
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